檢索結果：共19筆資料 檢索策略： "flash memory".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="快閃記憶體轉換層"
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在近代，快閃記憶體儲存裝置(Flash Memory)的容量發展的非常地快速，並且伴隨著消費性電子產品和嵌入式系統的流行，使得快閃記憶體的技術迅速發展。為了適當地管理產品的損耗及初始化的效能，製造商…
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由於低耗電,非揮發性,高效能,穩定及高可攜性等特性,NAND 型快閃記憶體已成為各種嵌入式系統與消費性電子產品的主要儲存媒介之一.NAND 型快閃記憶體又可區分為單級單元型 (Single-Leve…
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干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加，氧化層變薄。 因此，存儲在電池中的電荷變得更容易丟失，這將導致Vth發生負向偏移。 同時，由於FN隧道…
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自我修復NAND型快閃記憶體是近年被提出的新硬體技術，相對於傳統NAND型快閃記憶體經過多次讀寫而造成的寫穿狀態，自我修復NAND型快閃記憶體可以透過高溫使電子離開隧道氧化物讓電晶體可以重新儲存電子…
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快閃記憶體(NAND Flash)擁有體積小、功耗低、抗震、存取速度快等優勢，但快閃記憶體仍會面臨資料的「異地更新」、「垃圾收集」和「不平衡的執行時間」等硬體上的限制。一般而言，在有限的DRAM空間…
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現代 NVMe SSD 具有多隊列架構以提高整體性能，其中提交隊列可以為來自主機的流提供服務。 由於 NAND 閃存中讀寫延遲的不對稱性，現代 NVMe SSD 通常使用 DRAM 空間中的寫入緩衝…
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NAND型快閃記憶體已被廣泛應用在嵌入式系統和消費電子產品，由於它具有低功耗、快速存取、非揮發性、高抗震等特色。現今，SSD的架構大多採用多控制器架構來處理NAND型快閃記憶體晶片。在傳統多控制器的…
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NAND型快閃記憶體大量的被用於行動設備，電腦裝置和企業的計算機系統中，當我們使用NAND型快閃記憶體作為儲存裝置，由於其本身必須先抹除才能寫入的特性，因此需要專門的垃圾回收機制，垃圾回收機制包含一…
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由於NAND Flash Memory 具有其限制特性，快閃記憶體轉換層Flash Translation Layer (FTL) 被設計出來為了管理Flash Memory 的這些限制特性，FTL…
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隨著科技的發展，使用者越來越重視資料的安全性與隱私，以資料的儲存來說NAND Flash Memory具有體積小、高抗震性、低功耗及快速儲存等優點，成為目前手機的主要儲存設備。Flash Memor…